檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "趙崇禮".ccommittee (精準) and year="110"
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本研究目的為下壓力對於軟拋墊表面微突起接觸面積的影響與材料移除率預測模型應用於銅薄膜化學機械拋光製程。實際方法使用X-ray電腦斷層掃描儀進行軟拋墊的微觀形貌掃描，再透過三維分析軟體組建軟拋墊的微觀…
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在化學機械平坦化製程中，化學拋光液和晶圓移除的殘屑可能會積 聚在拋光墊表面，通過修整製程去除這些殘屑。故此拋光墊修整對於 CMP 性能至關重要且影響 IC 製造良率。本研究主要針對比較行星式修 整和…
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精密單晶矽晶球可以透過計算同位素矽晶體中的原子數來確定亞佛加厥常數，在新制國際單位(New SI)中扮演重要的角色，但在精密球體的加工過程中，為了達到球體均勻地加工，必須瞭解球體於拋光製程中的運動狀…
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單晶碳化矽(SiC)晶圓是眾所矚目的第三代半導體材料之一，其低漏電流特性、較高的熱傳導率、寬能隙(WBG)和耐化學性，廣泛應用於高功率及高電壓能量轉換裝置元件，然而碳化矽的硬度和脆性使其鑽石線鋸切割…
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本研究目的為建立搖臂式拋光墊修整之數位雙生系統，整合搖臂控制模組及動態量測模組透過Modbus通訊協議連接實體搖臂與應用程式，可收集搖臂之實時資料，並透過彩色共軛焦感測器架設於搖臂上，以近似阿基米德…
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在半導體積體電路製程中，局部拋光液膜中奈米粒子磨粒之動能在化學機械拋光過程中扮演重要角色。本研究使用電致動力技術 (Electro-Kinetic Force, EKF)配合高精密拋光機，利用電雙層…
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化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半導體製造中最關鍵的製程且廣泛應用。了解拋光墊與晶圓接觸的機械相互作用以及晶圓表面的化學變化對於CMP製程的材料…